Для создания определенных устройств требуются определенные материалы, выбор которых зависит от их физических и химических свойств. Однако с развитием науки и технологий многие «классические» материалы оказались не столь эффективными, а потому появилась необходимость в поиске альтернатив. И порой такие альтернативы находятся в самых неожиданных местах. Ученые из Штутгартского университета (Штутгарт, Германия) разработали новую систему муаровых сверхрешеток нанометрового масштаба, используя ДНК и их способность к самоорганизации. Как именно была создана эта структура, как себя проявляют ДНК в ней, и где может использоваться данная разработка? Ответы на эти вопросы мы найдем в докладе ученых.

Основа исследования

Изображение №1

Муаровые узоры — это часто наблюдаемые явления во всех масштабах длины. Муаровый узор возникает из-за пространственной модуляции наложенных друг на друга подрешеток, имеющих слегка различающиеся постоянные решетки (a_sub) и/или ориентации (θ). Этот узор образует сверхрешетку с муаровой периодичностью (p_M), охватывающую несколько элементарных ячеек подрешеток. Для муаровых сверхрешеток, состоящих из подрешеток с постоянными решетки a_sub в ангстремном масштабе, ярким примером является скрученный двухслойный графен (1a(i)). В частности, когда два листа графена (a_sub = 2.46 A) накладываются друг на друга под «магическим» углом закручивания 1.1°, результирующая муаровая сверхрешетка демонстрирует гораздо большую периодичность p_M = 12.8 нм, что сопровождается существенными изменениями в электронной зонной структуре. Примечательно, что появление плоских электронных зон и коррелированных электронных состояний открыло путь многим интересным квантовым явлениям, заложив основу для активно развивающейся области твистроники. Между тем, появление твистроники стимулировало создание ее фотонных аналогов. В скрученных нанофотонных системах размер подрешеток обычно находится в субмикрометровом масштабе, варьируясь от десятков до сотен нанометров (1a(iii)). Однако как для твистроники, так и для скрученных нанофотонных систем для получения целевых муаровых сверхрешеток часто требуются скрупулезные этапы изготовления, такие как перенос, укладка, скручивание и выравнивание подрешеток.

До сих пор создание муаровых сверхрешеток, состоящих из подрешеток с a_sub в несколько нанометров, остается весьма сложной задачей. В этом промежуточном масштабе длины препятствия обусловлены не только вышеупомянутыми технологическими сложностями, но и нехваткой доступных материалов. Для a_sub в масштабе порядка ангстремов доступны различные атомные решетки, например, ван-дер-ваальсовы материалы, в то время как для a_sub в субмикрометровом масштабе можно создать множество искусственных решеток, таких как метаповерхности, используя современные технологии производства.

В рассматриваемом нами сегодня труде ученые описывают новый класс муаровых сверхрешеток, которые преодолевают структурный разрыв между ангстремными и субмикрометровыми шкалами длины, используя ДНК-нанотехнологию методом «снизу вверх» (1a(ii)). Обладая спроектированными симметриями, углами закручивания, муаровыми периодами и последовательностями укладки, эти ДНК сверхрешетки не имеют природных аналогов, выступая в качестве программируемых аналогов скрученных ван-дер-ваальсовых и фотонных систем.

Результаты исследования

Первый строительный блок ДНК муаровой сверхрешетки, затравка* нанометрового размера, представляет собой пучок ДНК-оригами заданной формы, состоящий из взаимосвязанных спиралей ДНК. Используются два типа полых затравок (затравка S и затравка H) (1b).

Затравка* (seed) — в данном контексте является наноструктурой или участком, который служит начальным элементом для роста или сборки более крупной структуры.

Затравка S включает в себя различные функциональные сегменты. Z₁, Z₃ и Z₅, высотой 128 пар оснований (или bp от base pairs; 43.5 нм) каждая, служат областями зародышеобразования и роста для трех SST подрешеток. Z₂ и Z₄, высотой 32 bp (10.9 нм) каждая, играют двойную роль. Они определяют точные межслоевые расстояния и вносят правостороннюю закрутку на угол θ ≈ 3.8° между соседними SST подрешетками. Примечательно, что угол закручивания θ ДНК муаровой сверхрешетки определяется исключительно скручивающими сегментами Z₂ и/или Z₄, а не отражает глобальную скручиваемость затравки. Для затравки H сегмент заполнения и скручивания (Z₂ или Z₄) имеет высоту 36 bp (12.2 нм), что создает правостороннюю скручиваемость θ ≈ 1.2° вдоль оси z. Сегменты зародышеобразования и роста (Z₁, Z₃ и Z₅) имеют высоту 126 bp (42.8 нм). Изображения, полученные с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) для типичных затравок S и H, представленные на 1b, соответствуют вышеописанным проектным спецификациям.

Вторым строительным блоком являются двумерные SST подрешетки микрометрового размера с заданными симметриями и высотами (1c). Три представительные симметрии решеток: квадрат (128 bp), кагоме (128 bp) и соты (126 bp), соответствующие высотам соответствующих сегментов зарождения и роста, собираются из последовательно-специфичных SST посредством локальных взаимодействий связывания. Решетку кагоме можно рассматривать как неплотно упакованную квадратную решетку с пустотами. Снятие напряжения, вызванного недостаточным закручиванием внутри решётки, приводит к преобразованию симметрии от квадратной к кагоме.

Снимки, полученные с помощью просвечивающего электронного микроскопа (ТЭМ) и криогенной электронной микроскопии (крио-ЭМ) на 1c, подтверждают постоянные решетки и симметрии собранных SST подрешеток. Квадратная решетка выглядит круглой, а не квадратной, вероятно, из-за высокого напряжения недостаточного закручивания, возникающего из-за плотной упаковки SST. Решетки кагоме и соты имеют ромбовидную и асимметричную гексагональную формы, что создает четко определенные края, соответствующие их симметрии решетки. Усредненные по классу снимки, полученные с помощью крио-ЭМ, показывают постоянные решетки этих монослойных решеток: квадратная a_s = 2.8 нм, кагоме a_k = 5.4 нм и сотовая a_h = 4.4 нм. Картины быстрого преобразования Фурье (FFT от fast Fourier transform) дают соответствующие межплоскостные расстояния и углы. При измерениях на высушенных сетках для трансмиссионной электронной микроскопии постоянные решетки оказываются немного меньше и составляют примерно 2.2 нм для квадратной, 4.4 нм для кагоме и 3.5 нм для сотоподобной структуры, что, вероятно, связано со сжатием структуры при высушивании. Аналогично, высота этих однослойных решеток, измеренная атомно-силовой микроскопией в воздухе и составляющая около 40 нм, также немного меньше, чем рассчитанные проектные значения.

Изображение №2

Рост ДНК муаровых сверхрешеток в скрученных квадратных бислоях с затравкой послужит модельной системой для исследования ключевых факторов, регулирующих пути нуклеации. Гомогенное (без затравки) зародышеобразование 32-нуклеотидных SST, каждый из которых содержит четыре 8-нуклеотидных домена, происходит медленно посредством однодоменного связывания, после чего следует быстрый рост с образованием монослойных решеток (2a). Напротив, гетерогенное (с затравкой) зародышеобразование направляется цепями захвата на затравке оригами (затравка S), которые определяют модульные центры нуклеации SST. Количество и расположение этих центров влияют на смачиваемость поверхности, что согласуется с классической теорией зародышеобразования.

Для исследования различных режимов нуклеации ученые разработали три различных паттерна захвата: полностью кооперативный (затравка S(F)), частично кооперативный (затравка S(P1–P3)) и некооперативный (затравка S(N)) (2b). Затравка S(F) характеризуется полными парами захвата, каждая из которых состоит из захвата 0 и захвата 1, что обеспечивает двухдоменное связывание SST (2b(i)). Моделирование полноатомной молекулярной динамики показывает, что это двухдоменное связывание стабилизирует позиционирование и конформацию SST на затравленном интерфейсе, ослабляя электростатическое отталкивание, тем самым способствуя последующему связыванию SST.

В затравке S(P1–P3) частичное удаление пар захвата нарушает их непрерывность вдоль осей x и/или z, что позволяет двухдоменное связывание только в определенных местах (2b(ii)).

В затравочном состоянии S(N) исключение всех единиц захвата или нулей захвата прекращает образование пар захвата, устраняя двухдоменное связывание и кооперативность (2b(iii)).

Используя классическую теорию нуклеации (зародышеобразования), ученым удалось провести качественную корреляцию этих трех режимов зародышеобразования с явлениями смачивания (2c). В целом, положительная корреляция между N_hetero/N_homo и T свидетельствует о том, что повышенные температуры усиливают различия между гетерогенным и гомогенным путями зародышеобразования. В режиме слабого смачивания (то есть частичном или некооперативном) N_hetero/N_homo достигает пика вблизи температуры плавления, где абсолютные скорости зародышеобразования низки. Напротив, в режиме высокой смачиваемости (то есть полностью кооперативном) отношение N_hetero/N_homo остается повышенным в широком диапазоне температур, поддерживая высокоселективное гетерогенное зародышеобразование даже при более низких температурах без ущерба для абсолютной скорости зародышеобразования.

Оптимальные условия сборки сначала определяются экспериментально, исследуя рост затравочных ДНК муаровых сверхрешеток в скрученных квадратных бислоях в полностью кооперативном режиме. Очищенные затравочные конструкции S(F) с захватами на Z₁ и Z₃ тестируются в концентрациях от 0.1 до 1.1 нМ. Их смешивают с 1.2 мкМ SST и 40 мМ Mg²⁺, предварительно нагревают до 45 °C в течение 10 минут и инкубируют при 40 °C – температуре, при которой гомогенное зародышеобразование и рост эффективно подавляются как минимум в течение 12 часов. На 2d показан репрезентативный снимок ДНК муаровых сверхрешеток, сформированных при затравочной концентрации 0.3 нМ, на котором выделены бислои (фиолетовый) и монослои (синий). Преобладание бислоев подтверждает эффективность роста с использованием затравки.

Статистический анализ показывает, что доля бислоев увеличивается с ростом концентрации затравки, достигая 90% при 1.1 нМ (2e). Более высокие концентрации затравки приводят к увеличению количества зародышей, что приводит к образованию более мелких решеток: 4.9 ± 0.9 мкм при 0.1 нМ, 4.7 ± 0.6 мкм при 0.3 нМ и 1.9 ± 0.4 мкм при 1.1 нМ. Примечательно, что изменчивость размера решетки также уменьшается с ± 1.4 мкм (без затравки) до ± 0.4 мкм при 1.1 нМ, что согласуется с предыдущими наблюдениями за одномерным ростом ДНК-нанотрубок с использованием затравки. Однако при инкубации при 34 °C, температуре, ранее оптимальной для квадратных подрешеток, доля бислоя при 1.1 нМ падает до 33%, а размер решетки уменьшается до 0.8 ± 0.1 мкм (2e). Эта тенденция согласуется с 2c, где снижение R при пониженных температурах приводит к увеличению гомогенного зародышеобразования, что приводит к уменьшению доли бислоя и уменьшению размеров решеток.

Используя оптимизированные условия (1.1 нМ затравки, инкубация при 40 °C), было изучено, как сконструированные паттерны захвата регулируют пути нуклеации (2e). В частично кооперативном режиме затравки S(P1), S(P2) и S(P3) содержат одинаковое количество пар захвата, но различаются по пространственному расположению, что приводит к разным фракциям бислоев и распределениям размеров решетки. В частности, затравка S(P1) и затравка S(P2) дают ~50% бислоев с узким распределением размеров, что указывает на частичную потерю эффекта затравки по сравнению с затравкой S(F). Напротив, затравка S(P3) показывает уменьшенную фракцию бислоев (19%) и более широкое распределение размеров (4.2 ± 1.6 мкм), что очень напоминает гомогенную нуклеацию (13% бислоев, размер решетки 3.8 ± 1.4 мкм). Эти результаты подчеркивают критическую важность непрерывности пар захвата по оси z для эффективной затравочной нуклеации. В некооперативном режиме затравка S(N), которая сохраняет то же количество захватов, что и три затравки в частично кооперативном режиме, но не имеет никаких пар захвата, дополнительно снижает фракцию бислоя до 13% и дает еще более широкое распределение по размерам (4.0 ± 1.8 мкм). ТЭМ снимок подтверждает отсутствие прикрепления SST к затравке S(P3) или затравке S(N) на ранней стадии инкубации. Напротив, затравка S(F) демонстрирует четкое связывание SST, характеризующееся фенотипом «растекания жидкости» через 5 минут, за которым следует послойный рост через 1 час и 2.5 часа, и идеальное выравнивание подрешетки с затравкой через 24 часа.

В совокупности эти результаты показывают, что для эффективного зародышеобразования и роста SST на боковой поверхности затравки-оригами требуется двухдоменное связывание, обеспечиваемое парами захвата. Кроме того, для снижения электростатического отталкивания на интерфейсе компонентов и обеспечения успешного зародышеобразования необходимо как критическое количество, так и определенное расположение пар захвата.

Принцип проектирования для затравочной нуклеации можно обобщить на ДНК муаровой сверхрешетки с различными симметриями решетки. Для симметрии кагоме интуитивный дизайн с использованием ДНК-оригами-затравки в виде массива кагоме (затравка K(N); 2f(i)) не имеет пар захвата, что приводит к некооперативному режиму и, следовательно, отсутствию эффекта затравки. Об этом свидетельствует полученный размер решетки (5.1 ± 1.4 мкм), который сравним с размером, полученным при гомогенной нуклеации (4.0 ± 1.1 мкм) (2f(iii)).

Для обеспечения кооперативной затравки вместо этого была использована затравка в виде квадратной решетке (затравка S(K)), используя геометрическую совместимость между квадратной и кагоме симметриями (2f(ii)). Такая конструкция поддерживает полностью кооперативный режим и обеспечивает гораздо более узкое распределение размеров решетки (1.8 ± 0.2 мкм), что подтверждает эффективный рост затравки (2f(iii)). Интересно, что затравка S(K) претерпевает квадратно-ромбоэдрическую деформацию, которая соответствует симметрии подрешетки кагоме.

Далее ученые применили вышеописанный принцип конструкции к симметрии сот. Затравка в виде сотовой решетки (затравка H(N)) создает прерывистые паттерны захвата вдоль оси z, что приводит к некооперативному зародышеобразованию (2g(i)). Для решения этой проблемы были введены захваты скобами с параллельными кроссоверами, которые функционируют аналогично захватам нерасширяемых скаффолдов, обеспечивая полностью кооперативный режим (затравка H(F)) (2g(ii)). Такая конструкция обеспечивает самое узкое распределение размеров кристаллической решетки (1.7 ± 0.3 мкм), превосходя как некооперативное зародышеобразование (3.3 ± 1.2 мкм), так и гомогенное зародышеобразование (3.1 ± 0.9 мкм) (2g(iii)). Эти результаты подтверждают общность данной модели зародышеобразования с зародышеобразованием для кристаллических решеток с различной симметрией.

Изображение №3

На 3a представлен репрезентативный снимок ДНК муаровых сверхрешеток, полученный с помощью сканирующей электронной микроскопии, с двумя квадратными подрешетками, выращенными из сегментов Z₁ и Z₃ затравки S(F). Две сложенные друг на друга микрометровые монослойные структуры SST соединены центральной нанозатравкой, видимой как белое утолщение, что демонстрирует успешный затравочный рост бислоя. Профиль высоты ДНК муаровых сверхрешеток охарактеризован с помощью АСМ (3b–3d). Высота обоих монослоев составляет около 39.0 нм, что несколько меньше расчетного значения 43.5 нм, вероятно, из-за процесса сушки, необходимого для получения снимков с помощью АСМ. Межслоевой сегмент Z₂ (номинально 10.9 нм) не обнаруживается. Это говорит о том, что двумерные микрометровые подрешетки контактируют, образуя при высыхании безщелевой бислой. Измеренная общая высота сегментов Z₄ + Z₅, не подверженных захвату (белый выступ на 3a), составляет около 53.0 нм, что близко к расчетной высоте 58.1 нм.

Далее была проведена характеризация муарового узора, угла закручивания θ и периодичности сверхрешетки p_M в скрученных квадратных бислоях с помощью просвечивающего электронного микроскопа (3e). Полученный снимок четко отображает затравку оригами и две составляющие ее подрешетки, в то время как снимок с большим увеличением выделяет полую затравку, бесшовно интегрированную в сверхрешетку. Наблюдается выраженный муаровый узор с p_M ≈ 33 нм, что значительно больше расстояния между подрешетками (a_sub ≈ 2.2 нм), что соответствует углу закручивания θ ≈ 3.9°, рассчитанному на основе соотношения p_M = a_sub/2sin(θ/2).

Это хорошо согласуется с результатами FFT анализа и смоделированным значением θ ≈ 3.8°. Статистический анализ (N = 20) дает среднее значение θ = 5.0° ± 1.8°, с отклонениями, вероятно, обусловленными гетерогенностью скручивания затравки и структурной деформацией, вызванной высыханием. Между тем, близкое совпадение результатов подтверждает, что θ в первую очередь определяется скручивающим сегментом Z₂. Двумерные микрометровые ДНК-подрешетки обладают высокой длиной остаточного кручения, превышающей 107 нм, что позволяет изначально скрученным сегментам Z₁ и Z₃ релаксировать и соответствовать нескрученным характеристикам подрешеток.

Дополнительно была продемонстрирована библиотека скрученных двухслойных и трехслойных структур с различной симметрией. На 3f и 3g показаны снимки просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ) скрученных двухслойных структур кагоме и сотовых структур, засеянных затравкой S(K) и затравкой H(F) соответственно. Снимки с большим увеличением выявляют муаровые узоры с p_M ≈ 26 нм (что соответствует θ = 8.9° при a_sub = 4.4 нм) для двухслойной структуры кагоме и p_M ≈ 42 нм (что соответствует θ = 4.5° при a_sub = 3.5 нм) для двухслойной структуры сот. Статистические углы закручивания составляют 5.2° ± 2.0° для двухслойной структуры кагоме и 2.6° ± 1.2° для двухслойной структуры сот, что хорошо согласуется с прогнозами. Примечательной особенностью скрученных бислоев с идентичными подрешетками (квадрат–квадрат, кагоме–кагоме и соты–соты) является практически полное перекрытие двух монослоев, что подчеркивает синергию, достигаемую за счет роста затравки в одноэтапном процессе сборки.

На 3h–3j показаны снимки ПЭМ скрученных гибридных бислоев и трислоев, содержащих различные подрешетки. Поскольку затравка S может служить шаблоном как для квадратных, так и для кагоме-подрешеток, путем изменения последовательностей укладки монослоев можно получить различные двух- и трехслойные конфигурации. Конструируются представительные конфигурации, такие как квадрат–кагоме, квадрат–кагоме–кагоме и квадрат–кагоме–квадрат. Подрешетки кагоме легко различимы по их четкой форме и меньшим размерам по сравнению с квадратными подрешетками. Снимки с большим увеличением и соответствующие им FFT паттерны дополнительно подтверждают успешное укладывание квадратных и кагоме-подрешеток в обозначенных последовательностях.

Изображение №4

Далее ученые продемонстрировали построение сверхрешеток градиентного муара – системы, ранее не исследованной в таком масштабе. Эти сверхрешетки характеризуются постепенными изменениями p_M в двумерной плоскости, что позволяет пространственно модулировать муаровые узоры. Это достигается с помощью асимметричной затравки оригами, называемой затравкой S(G), которая служит шаблоном для двух квадратных подрешеток SST, постепенно изменяя их относительную ориентацию. Затравка S(G) содержит три функциональные области (4a, 4b). Z₁, имеющая квадратное поперечное сечение с двумя параллельными поверхностями роста (a^1st и b^1st), служит сегментом роста для однородной квадратной подрешетки (первый слой). Z₃, имеющая трапециевидное поперечное сечение с двумя непараллельными поверхностями роста (наклонной a^2nd и ненаклонной b^2nd), служит сегментом роста для неоднородной квадратной подрешетки (второй слой). Z₂ выполняет функцию сегмента зазора и закручивания, создавая угол закручивания θ ≈ 2.8° между поверхностями b^1st и b^2nd с прогнозируемым p_M ≈ 45.0 нм. Наклонная поверхность a^2nd вносит дополнительный Δθ ≈ 10.9°, что приводит к общему закручиванию θ + Δθ ≈ 13.7° относительно поверхности a^1st с прогнозируемым p_M ≈ 9.2 нм.

На 4c показаны как результат моделирования, так и ПЭМ снимки затравки оригами S(G), характеризующейся асимметричной геометрией. На 4d–4f представлен увеличенный ПЭМ снимок репрезентативного второго слоя с затравкой и соответствующие ему FFT-картины. Непараллельные поверхности роста a^2nd и b^2nd вызывают постепенное изменение ориентации субъединиц по часовой стрелке (сплошные стрелки) и резкое изменение против часовой стрелки (штриховая стрелка). Эта эволюция ориентации более очевидна на FFT-картинах, где максимумы интенсивности выглядят размытыми (выделены сплошными оранжевыми прямоугольниками), а не отдельными точками высокой интенсивности, что отражает смешивание различных ориентаций решетки во втором слое (4e). Скручивание ориентации субъединиц постепенно уменьшается от области 1 к области 4, о чем свидетельствуют смещения дискретных пиков интенсивности (4f). Важно отметить, что на границе красной и синей линий субъединицы SST меняют свою ориентацию, обеспечивая бесперебойное межсубъединичное связывание, избегая образования двойниковых границ и неполных субъединиц. Это минимизирует несовпадение доменов между SST и снижает свободную энергию системы.

На 4g показан ПЭМ снимок затравочной градиентной муаровой сверхрешетки, где представительные муаровые суперъединицы обведены белыми прямоугольниками. Градиент в p_M более четко визуализируется на тепловой карте (4h), полученной на основе экспериментальных данных на 4g. По мере уменьшения закручивания ориентации субъединиц по часовой стрелке во втором слое, p_M соответственно увеличивается по часовой стрелке вокруг затравки, варьируясь от 8.9 нм до 79.1 нм. Это увеличение градиента в p_M возникает из-за соответствующего уменьшения углов закручивания, что подтверждается картинами FFT на 4i.

Для более детального ознакомления с нюансами исследования рекомендую заглянуть в доклад ученых и дополнительные материалы к нему.

Эпилог

В рассмотренном нами сегодня труде ученые представили затравочную эпитаксиальную сборку в ДНК-нанотехнологии, что принципиально отличается от устоявшихся эпитаксиальных парадигм. Традиционные эпитаксия, гипотаксия и графоэпитаксия обычно полагаются на кристаллические шаблоны, согласованные с решеткой, или предопределенные поверхностные паттерны для управления структурным ростом. Однако шаблоны с муаровым узором с a_sub в наномасштабе отсутствуют, что требует новой схемы сборки. Центральным элементом вышеописанного подхода являются модульные нити захвата, расположенные вдоль боковой поверхности скрученного затравочного ДНК-оригами. Эти захваты направляют зародышеобразование SST, которые затем собираются слой за слоем в отдельные подрешетки SST, пронизанные общим затравочным кристаллом. Важно отметить, что полученная муаровая сверхрешетка ориентирована ортогонально боковой поверхности затравки, в отличие от традиционной эпитаксии, где рост совпадает с базовой решеткой или паттерном.

Данный подход открывает мезоскопический режим муаровых сверхрешеток (размером приблизительно в несколько нанометров), где становятся возможными фононные кристаллы с заданной дисперсией и топологическими свойствами. Хотя сама ДНК неоптимальна для прямого управления фононами, силицификация и другие методы преобразования материалов могут преобразовать ДНК-муаровые сверхрешетки в жесткие архитектуры, подходящие для фононной инженерии. Кроме того, сверхрешетки могут служить адресуемыми молекулярными шаблонами для позиционирования неорганических материалов, таких как металлические наночастицы, флуорофоры и квантовые точки, среди прочего, создавая фотонные устройства с заданными оптическими свойствами.

Кроме того, семена ДНК-оригами можно детерминированно позиционировать на подложках с помощью размещения ДНК-оригами. Интеграция затравочного эпитаксиального роста с нисходящим нанопроизводством может обеспечить точечную сборку муаровых сверхрешеток в заранее определенных местах на кристалле, уровень пространственного контроля, которого по-прежнему сложно достичь с помощью дихалькогенидов переходных металлов или полупроводников.

Немного рекламы

Спасибо, что остаётесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас, оформив заказ или порекомендовав знакомым, облачные VPS для разработчиков от $4.99, уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2697 v3 (6 Cores) 10GB DDR4 480GB SSD 1Gbps от $19 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

Dell R730xd в 2 раза дешевле в дата-центре Maincubes Tier IV в Амстердаме? Только у нас 2 х Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ТВ от $199 в Нидерландах! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - от $99! Читайте о том Как построить инфраструктуру корп. класса c применением серверов Dell R730xd Е5-2650 v4 стоимостью 9000 евро за копейки?